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厂商型号

KSB1366YTU 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT PNP Epitaxial Sil

内部编号

3-KSB1366YTU

#1

数量:2835
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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KSB1366YTU产品详细规格

规格书 KSB1366YTU datasheet 规格书
KSB1366
文档 Multiple Devices 14/Mar/2011
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 50
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 3A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 1V @ 200mA, 2A
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 500mA, 5V
功率 - 最大 2W
频率转换 9MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-220-3 Full Pack
供应商器件封装 TO-220F
包装材料 Tube
集电极最大直流电流 3
最小直流电流增益 100@500mA@5V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-220F
最低工作温度 -55
最大功率耗散 2000
最大基地发射极电压 7
Maximum Transition Frequency 9(Typ)
封装 Rail
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 60
供应商封装形式 TO-220F
最大集电极发射极电压 60
类型 PNP
引脚数 3
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 3A
晶体管类型 PNP
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 9MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1V @ 200mA, 2A
标准包装 50
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
供应商设备封装 TO-220F
功率 - 最大 2W
封装/外壳 TO-220-3 Full Pack
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 500mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 3 A
集电极 - 基极电压 60 V
集电极 - 发射极电压 60 V
发射极 - 基极电压 7 V
频率(最大) 9 MHz
功率耗散 2 W
安装 Through Hole
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-220F
元件数 1
直流电流增益(最小值) 100
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
晶体管极性 PNP
频率 9 MHz
集电极电流(DC ) 3 A
直流电流增益 100

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